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在洁净室中符合 ISO 14644 标准

半导体制造中的洁净室合规指南

简要概述:在半导体制造中对污染控制的要求堪称全球最严苛,而ISO 14644系列标准正是洁净室领域的全球基准。可靠地达成并持续维持这些标准,是保障高良率、提升工艺效率与并确保符合法规的关键。本指南概述了电子和半导体制造商为满足 ISO 14644 要求应采取的关键步骤,其中包含可行的策略和针对特定行业的见解。

内容概览


理解半导体洁净室的ISO 14644标准

ISO 14644根据空气中尘埃微粒浓度对洁净室进行分级,这对晶圆厂、封装车间及测试区域的工艺良率与器件可靠性至关重要。半导体制造通常要求极高的洁净度等级,常见为ISO 1级、3级或5级,尤其在光刻、晶圆刻蚀与薄膜沉积等关键工艺中,各级别代表逐级严格的微粒控制标准:

 
  • ISO 1级:每立方米空气中≥0.1μm的微粒≤10个。适用于极紫外光刻技术(EUV)及先进的晶圆制造。
  • ISO 3级:每立方米空气中≥0.1μm的微粒≤1,000个。常见于晶圆厂前端制造核心区域。
  • ISO 5级:每立方米空气中≥0.1μm的微粒≤100,000个。适用于次洁净区、更衣区及辅助区域。

半导体制造商必备的 ISO 14644 相关文件

ISO 14644系列标准针对先进电子与半导体洁净室的污染控制需求提供全面指导:

ISO 14644-1:2015 – 按微粒浓度对空气洁净度进行分级。该标准定义了微粒粒径等级与污染限值,并包含空气尘埃微粒污染的检测方法与报告规范。

ISO 14644-1 微粒污染等级 (简化版)
ISO 等级数  (N) 对于大于或等于所考虑粒径的粒子,其最大允许浓度(个/m³)
0.1µm 0.2µm 0.3µm 0.5µm 1.0µm 5.0µm
1 10          
2 100 24 10      
3 1000 237 102 35    
4 10000 2370 1020 352 83  
5 100000 23700 10200 3520 832  
6 1000000 237000 102000 35200 8320 293
7       352000 83200 2930
8       3520000 832000 29300
9       35200000 8320000 293000

ISO 14644-2:2015 – 监测方法、频率及持续合规性评估
ISO 14644-3:2019 – 洁净室验证测试方法
ISO 14644-4:2022 – 洁净室设计、建造与启动指南
ISO 14644-5:2025 – 维持标准的运营最佳实践
ISO 14644-7:2004 – 隔离装置(含微型环境与隔离器)
ISO 14644-9:2022 – 关键环境的表面洁净度
ISO 14644-12:2018 – 纳米级污染监测,要求对<100nm微粒使用凝聚核粒子计数技术
ISO 14644-16:2019 – 洁净室能效优化策略

9001 AeroTrak Cleanroom Condensation Particle CounterTSI 9001 AeroTrak™ 洁净室凝聚核粒子计数器针对<100nm的纳米级实时尘埃粒子监测,凝聚核粒子计数器(如TSI 9001 AeroTrak™)已成为行业标准。该技术可对环境空气与工艺气体管线中的超细污染物进行可靠检测与控制。

半导体专属附加要求

  • 需对亚微米及纳米级微粒实施连续监测以保障良率
  • 对空气分子污染物(AMC)(酸类、碱类、VOCs、掺杂剂)的检测有助于保护敏感器件层
  • 进行设备监测、材料处理和人员操作规范的常规程序是阻断所有污染途径所必需的
  • 自动校准与数据可追溯性需同时符合ISO 14644及IEST-RP-CC、SEMI E系列等行业指南

通过整合上述标准与技术,晶圆厂可优化环境控制、最大限度减少微粒异常事件,并简化客户与监管合规流程,从而实现高良率制造、可靠的审计结果及污染管理领域的行业领先优势。

按照ISO 14644标准进行洁净室设计与建造

高效的洁净室设计是对于缺陷预防和良率保障的核心。半导体制造的关键设计要素包括:

  • 气流模式:工艺设备上方采用层流、单向气流,以最大程度减少湍流与微粒沉积
  • 过滤系统:关键区域使用对≥0.12μm微粒过滤效率高达≥99.9995%的ULPA超高效过滤器;辅助区域可采用HEPA高效过滤器
  • 材料选择:表面具有低挥发性、抗静电、易清洁的涂层材料;避免存在微粒积聚死角
  • 布局优化:尽量减少人员在关键工艺区域的通行路径;隔离更衣区、次洁净区与维护通道

施工最佳实践:在施工期间,在每个阶段完成时实施全面的清洁和验证,以维持污染控制标准。严格管控物料、工具及人员流动以减少微粒引入;工艺设备进场前,须完成全面泄漏测试、空气尘埃微粒验证及房间压差检测,确保符合关键洁净室规范。

实施先进的环境监测系统

先进的一体化监测系统是半导体合规与质量保障的基石。持续的追踪能够实现快速检测和修正,从而降低废品率与意外停机风险。核心监控解决方案包括:

  • 实时粒子计数器:安装在工艺设备排气口、回风管道及关键设备接口,实现区域化精细测量
  • 环境传感器:温湿度、压差传感器联网实现集中监控,支持与楼宇管理系统(BMS)的集成
  • AMC(空气悬浮分子污染)监测:针对酸类、碱类、VOCs及掺杂分子的专用传感器,对防止光刻胶中毒与器件损伤至关重要

最佳运营实践包括根据定义的工艺公差设置每个参数的警报阈值,实现数据收集、报告和趋势分析的自动化以提供可操作的见解,并按照制造商建议的周期定期校准仪器,并确保其可追溯性符合国际公认标准。
 

制定并执行晶圆厂运营的标准操作程序(SOPs)

全面且切实可行的标准操作程序能够确保所有员工和承包商始终遵循一致的合规要求和操作规范。

  • 人员规范:严格的更衣流程、风淋程序及健康监测;执行疾病期间禁入政策
  • 设备操作:工艺设备、晶圆搬运机器人及维护活动的清洁与管控规范
  • 清洁维护:所有表面按计划进行干/湿清洁,使用经批准的清洁剂;明确频率、验证方法及升级处理流程
  • 事件响应:针对断电、HVAC系统报警或工艺间污染事件的应急处理程序

培训项目应通过入职培训、定期复训及能力验证强化上述规程,所有记录须妥善保存以备审计。
 

常规测试与验证协议

ISO 14644合规要求定期验证洁净室性能是否持续符合规范。在半导体晶圆厂中,验证通常包括:

  • 静态与动态条件下的微粒浓度分布测绘
  • HEPA/ULPA过滤器完整性测试
  • 气流速度与风量测量
  • 敏感工艺区的AMC检测
  • 维护作业或模拟污染事件后的恢复时间评估

所有结果、偏差及纠正措施均须完整记录并存档,以支持审计、客户审查及内部工艺控制。
 

应对不符合项并推动持续改进

当洁净室环境条件偏离规范时,快速且有条理的响应至关重要。高效应对流程应遵循明确路径——从即时遏制、根本原因分析到整改与再验证。

除了采取纠正措施之外,持续改进还需要进行趋势分析、对监测数据进行管理审查,以及定期与不断变化的行业实践和标准进行对标比较。
 

朝着可持续合规迈进

符合 ISO 14644 标准并非是一次性里程碑,而是一种持续的运营规范。通过整合稳健的监测体系、严格的规程执行与定期验证,半导体制造商可更好地管控污染风险、为审核做好准备,并在器件尺寸持续缩小的背情况下维持稳定的工艺性能。

后续行动建议:

  • 对照半导体行业基准审查现有洁净室控制措施
  • 找出监测、SOPs 或培训方面存在的差距
  • 与经验丰富的合作伙伴协作,制定符合ISO 14644的洁净室战略

关于 TSI 在洁净室监测方面的更多内容


总结:半导体制造的ISO 14644合规指南

遵循这些以ISO 14644为核心的相关准则,可助力半导体制造商实现高良率、顺利通过监管审核并获得竞争优势——从而为不断发展的行业提供稳定、可靠的产品质量。

分级:明确并维持每个关键工艺步骤的空气清洁度标准

设计:建造并调试具备最佳气流、过滤系统和布局的洁净室,以确保工艺的完整性

监测:部署一体化实时监测系统,覆盖微粒与AMC风险监测

文档化:建立并维护清晰的SOP与验证记录,随时应对客户与监管机构的检查审计

响应:快速处理偏差问题,并持续优化污染控制策略

 

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